삼성전자 반도체 핵심기술 中에 빼돌린 전 임원 구속송치

중국 지방정부와 합작해 삼성 반도체 핵심 기술 빼돌려
기술 가치 4조원대…실제 피해금액은 가늠 어려운 수준

경찰 마크. /송의주 기자

삼성전자가 수조원을 투입해 독자개발한 핵심 공정기술을 빼돌려 중국에서 반도체 제조업체를 세운 전직 임원이 구속 상태로 검찰에 넘겨졌다.

서울경찰청 산업기술안보수사대는 중국 반도체 제조업체 청두가오전(CHJS) 대표 최모씨(66)와 공정설계실장 오모씨(60)를 구속 송치했다고 9일 밝혔다.

경찰에 따르면 최씨는 2020년 9월 중국 지방정부와 합작으로 회사를 세운 뒤 삼성전자에서 수석연구원을 지낸 오씨 등 국내 반도체 전문인력을 대거 영입해 삼성전자의 메모리 반도체 핵심기술을 유출·부정사용한 혐의(산업기술보호법·부정경쟁방지법 위반)를 받는다.

삼성전자와 하이닉스반도체(현 SK하이닉스) 임원을 지낸 최씨는 20나노급 D램 반도체 제조를 목표로 삼성전자가 독자개발한 공정단계별 핵심기술을 빼돌려 2022년 4월 실제 반도체로서 기능을 측정하는 기초 개발제품 생산을 했다.

오씨는 이 과정에서 삼성전자의 핵심기술을 유출해 청두가오전으로 이직, 공정설계실장으로 일하며 핵심적인 역할을 한 것으로 조사됐다.

유출된 삼성전자의 18나노급 공정 개발비용은 약 2조3000억원, 20나노급 공정개발 비용은 약 2조원에 달하는 등 피해기술의 가치는 약 4조3000억원에 이른다고 경찰은 설명했다.

삼성전자는 20나노급 D램 개발을 위해 최소 1000명 이상의 연구원을 투입했으나, 청두가오전은 이러한 연구개발 과정 없이 삼성전자의 수심년간 노하우를 부당하게 취득해 시범 웨이퍼 생산 수준까지 진입했다.

청두가오전은 지난해 6월께 20나노급 D램 개발에 성공한 뒤 양산을 위해 수율을 높여가는 단계였으나, 수사로 공장 운영이 중단됐다.

경찰은 삼성전자 등 국내업체에서 청두가오전으로 이직한 다른 임직원도 입건해 추가적 기술 유출이 있었는지 등을 살펴보고 있다.

경찰 관계자는 "국내 반도체 업체 임원 출신이 직접 중국 지방정부와 합작해 국내 기술로 반도체 생산을 시도했다는 점에서 국가경쟁력 약화를 초래하는 등 경제안보의 근간을 뒤흔든 사안"이라고 설명했다.